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纳米ZnO修饰铝电极深度去除污水中的甲基硅氧烷

唐佳伟 王亮亮 雷伟香 张春晖

唐佳伟, 王亮亮, 雷伟香, 张春晖. 纳米ZnO修饰铝电极深度去除污水中的甲基硅氧烷[J]. 环境工程, 2018, 36(10): 43-47. doi: 10.13205/j.hjgc.201810009
引用本文: 唐佳伟, 王亮亮, 雷伟香, 张春晖. 纳米ZnO修饰铝电极深度去除污水中的甲基硅氧烷[J]. 环境工程, 2018, 36(10): 43-47. doi: 10.13205/j.hjgc.201810009

纳米ZnO修饰铝电极深度去除污水中的甲基硅氧烷

doi: 10.13205/j.hjgc.201810009
  • 摘要: 采用溶胶凝胶涂覆法将纳米ZnO负载到铝极板表面,将所制极板用于光电催化降解环状挥发性甲基硅氧烷的研究,考察电解时间、极板两端电压和极板间距等参数对处理效果的影响。实验结果表明:纳米ZnO均匀地涂覆到Al极板表面,颗粒分布均匀,结合紧密。在最佳工艺参数条件下,电解时间为60 min,极板两端电压为2 V,极板间距为0.8 cm,荧光灯为40 W时,六甲基环三硅氧烷(D3)、八甲基环四硅氧烷(D4)、十甲基环五硅氧烷(D5)、十二甲基环六硅氧烷(D6)的去除率达到了58.3%、65.1%、46.6%和49.5%,处理效果显著。同等条件下,纳米ZnO极板在光电催化反应体系中对硅氧烷的降解率远高于电催化反应体系,且反应过程属于非线性反应,可由Logistic函数进行拟合分析。
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  • 刊出日期:  2018-10-31

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